MOSFETの製造プロセスは微細化が進み、MOSFETの特性ばらつきが回路動作に与える影響が大きくなっている。そのため、個々のMOSFETの特性を測定し、そのばらつきを求めるDMA(device Matrix Array)と呼ばれる試験回路が考案されている。本論文では、これらの試験回路が寄生抵抗によって受ける影響をシミュレーションによって調べた。