MOSFETの微細化に伴い、大量の同一MOSFETの特性を測定して、その特性ばらつきを把握することが重要になっている。そのため、デコーダを用いて共通探針用パッドから大量の同一MOSFETを測定できるようにしたDMA(Device Matrix Array)回路が提案されている。しかし、DMAではスイッチイングに用いられるトランスファゲートの寄生抵抗の影響により、通常の方法では正確な測定はできない場合がある。本研究ではケルビン測定法を用いてトランスファゲートの影響を除く方法について検討する。