並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
| URI | http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/hiroshima-cu/metadata/6874 | ||||||||||||
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J79-C2_11_691.pdf
( 474.0 KB )
公開日
：2010-07-30
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| タイトル |
並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
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| 別タイトル |
Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs
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| 著者 |
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| キーワード |
MOSFET
しきい値電圧
標準偏差
ドレーン電流
テスト回路
並列接続
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| 抄録 |
大量の同一構造MOSFETを並列接続したテスト回路を用いて,しきい値電圧の標準偏差を簡単に測定する方法を提案している.このテスト回路を一つのMOSFETとみなし,そのドレーン電流とゲート電圧の関係からしきい値電圧を抽出すると,その値は同回路に含まれるすべてのMOSFETのしきい値電圧の平均値よりも標準偏差に関係した量だけ異なる値を示す.このことを利用すると,MOSFETのしきい値電圧標準偏差を簡単に測定することができる.本論文はその測定原理,単体MOSFETを用いたその実験的確認,そして精度に関する議論を述べている. |
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| 査読の有無 |
有
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| 掲載雑誌名 |
電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用
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| 巻 |
J79-C2
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| 号 |
11
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| 開始ページ |
691
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| 終了ページ |
697
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| 出版年月日 |
1996-11-25
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| 出版者 |
社団法人電子情報通信学会
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| ISSN |
0915-1907
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| NCID |
AN10071294
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| NAID |
110003314865
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| 本文言語 |
日本語
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| 資料タイプ |
学術雑誌論文
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| 著者版フラグ |
出版社版
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| 権利情報 |
copyright©1996 IEICE
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| 関連URL | |||||||||||||
| 旧URI | |||||||||||||
| 区分 |
hiroshima-cu
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