並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
| URI | http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/hiroshima-cu/metadata/6875 | ||||||||||||
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110003245388.pdf
( 90.0 KB )
公開日
：2010-07-30
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| タイトル |
並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
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| 別タイトル |
Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs
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| 著者 |
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| 抄録 |
MOSLSIの高集積化が進むに従い、MOSFET特性の標準偏差を簡単に評価する方法が重要になっている。本研究では、同一構造MOSFETを並列接続したものを1つのMOSFETのように取り扱うことによって、簡単にしきい値電圧の標準偏差を測定する方法を提案し、その実現可能性を調べる。 |
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| 掲載雑誌名 |
電子情報通信学会総合大会講演論文集
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| 巻 |
1996年.エレクトロニクス
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| 号 |
2
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| 開始ページ |
134
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| 出版年月日 |
1996-03-11
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| 出版者 |
社団法人電子情報通信学会
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| NCID |
AN10471452
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| NAID |
110003245388
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| 本文言語 |
日本語
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| 資料タイプ |
学術雑誌論文
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| 著者版フラグ |
出版社版
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| 権利情報 |
copyright©1996 IEICE
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
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| 関連情報 |
isVersionOf：http://ci.nii.ac.jp/naid/110003245388
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| 旧URI | |||||||||||||
| 区分 |
hiroshima-cu
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