蒸着膜によるAg-SiO-Ag構造の薄膜機能素子

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4219
ファイル
タイトル
蒸着膜によるAg-SiO-Ag構造の薄膜機能素子
別タイトル
Functional Device with Evaporated Ag-SiO-Ag Multifilms
著者
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
抄録

Ag-SiO-Ag multifilm structures of sandwich types have been investigated. There are two stable and non-volatile states in their I-V characteristics. These two states can be switched each other by application of excess voltage over a particular critical value. This threshold voltage is peculiar to the structure itself. These multifilm structures are considered available to memory or switching elements similar to that of amorphous semiconductors. Electroluminescence of Ag-SiO-Ag and Ag-SiO--Ag-SiO--Ag multifilms, which appears when conductivity is developed, is characterized by voltage controlled negative resistance in their I-V characteristics.

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
9
開始ページ
141
終了ページ
149
出版年月日
1974
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima