RF-DC 結合マグネトロンスパッタ法によるMo薄膜の作製

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4227
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タイトル
RF-DC 結合マグネトロンスパッタ法によるMo薄膜の作製
別タイトル
Preparation of Mo Thin Films by RF-DC coupled-Magnetron Sputtering
著者
氏名 嵜 義昭
ヨミ サキ ヨシアキ
別名 Saki Yoshiaki
氏名 田中 武
ヨミ タナカ タケシ
別名 Tanaka Takeshi
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
キーワード
RF- DC Coupled Magnetron Sputtering
Mo Thin Film
ESCA
抄録

Discharge characteristics of RF-DC coupled-magnetron sputtering were investigated. It was found that target current depended on target-DC-bias voltage applied to target, rather than RF power. The deposition rate of Mo thin films deposited on thermal oxide silicon/Si (100) by the sputtering system can be controlled easily by target-DC bias voltage. Also investigated were the effects of deposition parameters such as the deposition rate and substrate temperature conditions on the resistivity of molybdenum films. An electrical resistivity as low as 6.9 μΩcm was obtained in molybdenum film by depositing at a substrate temperature of 450°C.

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
26
開始ページ
61
終了ページ
65
出版年月日
1992
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima