半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4256
ファイル
タイトル
半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)
別タイトル
Study on Radiation Effects in Semiconductor Devices
著者
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabada Keishi
氏名 北山 正文
ヨミ キタヤマ ヨシフミ
別名 Kitayama Yoshifumi
氏名 尾土平 澈
ヨミ オトヒラ テツ
別名 Otohira Tetsu
氏名 若宮 勝征
ヨミ ワカミヤ カツユキ
別名 Wakamiya Katsuyuki
抄録

Radiation effects to semiconductor devices is complex because of the numerous possible combinations of different types of radiation, irradiated and measured condition and semiconductor devices affected by radiation. In this paper, gain hfe and input impedance at f=270 Hz during high dose neutron irradiation by KUR were examined for the 2SB223 and 2SC31 type transistor. The gain degradiation for the 2SB223 PNP type transistor was greater than for the 2SC31 NPN type translstor. It was found that the 2SC31 type transistor was damaged by displacement effect in the base region and the 2SB223 type transistor was damaged by both of this displacement effect and surface effect.

目次

1. 緒言 2. 実験装置および実験方法 3. 実験結果およびその検討 3.1 実験結果 3.2 結果の検討 4. 結言 参考文献

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
5
1
開始ページ
107
終了ページ
116
出版年月日
1970
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima