半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)
URI | http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4256 | ||||||||||||||||||||||||
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ファイル |
kenkyukiyo0501107.pdf
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公開日
:2009-08-17
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タイトル |
半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)
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別タイトル |
Study on Radiation Effects in Semiconductor Devices
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著者 |
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抄録 |
Radiation effects to semiconductor devices is complex because of the numerous possible combinations of different types of radiation, irradiated and measured condition and semiconductor devices affected by radiation. In this paper, gain hfe and input impedance at f=270 Hz during high dose neutron irradiation by KUR were examined for the 2SB223 and 2SC31 type transistor. The gain degradiation for the 2SB223 PNP type transistor was greater than for the 2SC31 NPN type translstor. It was found that the 2SC31 type transistor was damaged by displacement effect in the base region and the 2SB223 type transistor was damaged by both of this displacement effect and surface effect. |
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目次 |
1. 緒言 2. 実験装置および実験方法 3. 実験結果およびその検討 3.1 実験結果 3.2 結果の検討 4. 結言 参考文献 |
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掲載雑誌名 |
広島工業大学研究紀要
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巻 |
5
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号 |
1
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開始ページ |
107
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終了ページ |
116
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出版年月日 |
1970
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出版者 |
広島工業大学
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ISSN |
03851672
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NCID |
AN0021271X
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本文言語 |
日本語
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資料タイプ |
紀要論文
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著者版フラグ |
出版社版
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旧URI | |||||||||||||||||||||||||
区分 |
it-hiroshima
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