半導体の放射線損傷に関する研究

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4288
ファイル
タイトル
半導体の放射線損傷に関する研究
別タイトル
Studies on the Radiation Effects in Semiconductor Devices
著者
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
抄録

When a transistor is subjected to radiation exposure, a component of the five base current components for the NPN transistor increases in propotion to radiation fluence. In this paper the space-charge region recombination current varriation with neutron and 60Co gamma exposure is examined. These base current components are measuring as a function of base-emitter voltage. The results indicate that the characteristic curve (VBE-IB) at high injection shifts for neutron irradiation but not shift for γ-ray. It is also shown that a reciprocal slope term, n, does not vary with neutron fluence but tends to vary with γ-ray exposure at low injection.

目次

1. まえがき 2. 実験方法 3. 実験結果 4. 結果の検討 5. あとがき 参考文献

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
6
2
開始ページ
115
終了ページ
119
出版年月日
1972
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima