RF-DC 結合電源を用いたSnO2表面の水素プラズマ耐性改善

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4294
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タイトル
RF-DC 結合電源を用いたSnO2表面の水素プラズマ耐性改善
別タイトル
Improvement of the Hydrogen Plasma Durability of SnO2 Surface by using RF-DC Coupled Power Supply
著者
氏名 田中 武
ヨミ タナカ タケシ
別名 Tanaka Takeshi
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
キーワード
SnO2
X-ray photoelectron spectroscopy
solar cel
hydrogen plasma exposure.
抄録

R. F. power and d. c. bias were simultaneously applied to an electrode in a conventional plasma chemical vapor deposition (PCVD) system in order to suppress the reduction reaction of SnO2 induced by a hydrogen-containing plasma. It was found that the position of the positive column on the substrate was shifted to the rf electrode by increasing dc bias voltage. As a result, the reduction reaction of the SnO2 surface exposed to hydrogen plasma is dramatically suppressed.

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
29
開始ページ
29
終了ページ
33
出版年月日
1995
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima