トランジスタおよびダイオードの60Co-γ線照射効果について

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4306
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タイトル
トランジスタおよびダイオードの60Co-γ線照射効果について
別タイトル
On The Cobalt-60 gamma Irradiation Effects in Transistors and Diodes
著者
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
抄録

The radiation damage effects of silicon n-p-n transistors and diodes under Cobalt-60 gamma radiation were investigated. The changes in characteristics of VBE-IB, gain hFE and the reverse current were measured and the anealing effects for these characteristics due to temparature were also examined in the paper. The results show that the degradiation of gain and an increase of the leakage current are caused by an increase in the surface recombination velocity near the junction. The surface damage of transistors aneals at low temparatures (60℃ to 100℃) and a plateau in the recovery is then reached at about 100℃.

目次

1. まえがき 2. 実験方法 3. 実験結果およびその検討 4. あとがき 参考文献

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
7
2
開始ページ
97
終了ページ
100
出版年月日
1973
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima