半導体の放射線損傷について〔Ⅱ〕

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/4323
ファイル
タイトル
半導体の放射線損傷について〔Ⅱ〕
別タイトル
On the radiation damage Semiconductor divices
著者
氏名 川畑 敬志
ヨミ カワバタ ケイシ
別名 Kawabata Keishi
氏名 北山 正文
ヨミ キタヤマ ヨシフミ
別名 Kitayama Yoshifumi
抄録

Recently semiconductor divices have been applied to electric equipments in a radiation environment. The electric proparties of semiconductor devices are known to be sensitive to the lattic deffects produced by irradiation of radiation ray. The effects of thermal neutron radiation damage in various transistors on the market measured about VCE-IC, VCB-IC characteristics and h-parameters. In this paper, the effects of radiation on high frequency transistors and low frequency transistors will be discussed, and results will show that high frequency type transistors are more resistant to radiation damage than low frequency type transistors.

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
4
1
開始ページ
237
終了ページ
247
出版年月日
1970
出版者
広島工業大学
ISSN
03851672
NCID
AN0021271X
本文言語
日本語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
旧URI
区分
it-hiroshima