Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H

URI http://harp.lib.hiroshima-u.ac.jp/it-hiroshima/metadata/7148
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タイトル
Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
著者
氏名 森垣 和夫
ヨミ モリガキ カズオ
別名 Morigaki Kazuo
氏名 八木 啓次郎
ヨミ ヤギ ケイジロウ
別名 Yagi Keijiro
氏名 山口 政晃
ヨミ ヤマグチ マサアキ
別名 Yamaguchi Masaaki
キーワード
amorphous silicon
photoconductivity
NDC
549.8
抄録

We have investigated the temperature dependence of the photoconductivity in a-Si: H. The activated photoconduction observed in the range of 50-200 K is accounted for in terms of self-trapping of holes. The observed values of activation energy agree with those predicted from this model.

掲載雑誌名
広島工業大学研究紀要
32
開始ページ
9
終了ページ
15
出版年月日
Feb-98
出版者
広島工業大学
ISSN
3851672
NCID
AN0021271X
本文言語
英語
資料タイプ
紀要論文
著者版フラグ
出版社版
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区分
it-hiroshima